Perbedaan Antara IGBT Dan GTO

2024 Pengarang: Mildred Bawerman | [email protected]. Terakhir diubah: 2023-12-16 08:39

IGBT vs GTO

GTO (Gate Turn-off Thyristor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis perangkat semikonduktor dengan tiga terminal. Keduanya digunakan untuk mengontrol arus dan untuk tujuan switching. Kedua perangkat memiliki terminal pengendali yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda.

GTO (Gate Turn-off Thyristor)

GTO terbuat dari empat lapisan semikonduktor tipe P dan tipe N, dan struktur perangkat sedikit berbeda dibandingkan dengan thyristor normal. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan transistor gabungan (satu PNP dan lainnya dalam konfigurasi NPN), sama seperti untuk thyristor normal. Tiga terminal GTO disebut 'anoda', 'katoda' dan 'gerbang'.

Dalam operasi, thyristor bertindak saat pulsa diberikan ke gerbang. Ini memiliki tiga mode operasi yang dikenal sebagai 'mode pemblokiran terbalik', 'mode pemblokiran maju' dan 'mode konduksi maju'. Setelah gerbang dipicu dengan denyut nadi, thyristor pergi ke 'mode konduksi maju' dan terus berjalan sampai arus maju menjadi kurang dari ambang 'arus penahan'.

Selain fitur thyristor normal, status 'off' dari GTO juga dapat dikontrol melalui pulsa negatif. Dalam thyristor normal, fungsi 'off' terjadi secara otomatis.

GTO adalah perangkat daya, dan sebagian besar digunakan dalam aplikasi arus bolak-balik.

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)

IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga efisien tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.

IGBT memiliki fitur gabungan dari transistor pertemuan MOSFET dan bipolar (BJT). Ini digerakkan oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan arus tinggi dan kemudahan pengendalian. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani kilowatt daya.

Apa perbedaan antara IGBT dan GTO?

1. Tiga terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan GTO memiliki terminal yang dikenal sebagai anoda, katoda dan gerbang.

2. Gerbang GTO hanya membutuhkan pulsa untuk switching, sedangkan IGBT membutuhkan pasokan tegangan gerbang secara terus menerus.

3. IGBT adalah jenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang dapat dianggap sebagai pasangan transistor yang sangat erat dalam analisis.

4. IGBT hanya memiliki satu persimpangan PN, dan GTO memiliki tiga di antaranya

5. Kedua perangkat digunakan dalam aplikasi daya tinggi.

6. GTO membutuhkan perangkat eksternal untuk mengontrol turn-off dan pulsa, sedangkan IGBT tidak membutuhkannya.