BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki persimpangan PN dan struktur perangkat yang berbeda. Meskipun keduanya transistor, mereka memiliki perbedaan karakteristik yang signifikan.
BJT (Transistor Persimpangan Bipolar)
BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari dua sambungan PN (sambungan dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe ap dan semikonduktor tipe n). Kedua persimpangan ini dibentuk dengan menghubungkan tiga buah semikonduktor dalam urutan PNP atau NPN. Oleh karena itu, dua jenis BJT, yang dikenal sebagai PNP dan NPN, tersedia.
Tiga elektroda dihubungkan ke tiga bagian semikonduktor ini dan timah tengah disebut 'alas'. Dua persimpangan lainnya adalah 'emitor' dan 'kolektor'.
Dalam BJT, arus emitor kolektor (I c) besar dikendalikan oleh arus basis emitor kecil (I B), dan properti ini dimanfaatkan untuk merancang amplifier atau sakelar. Oleh karena itu, ini dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan arus. BJT banyak digunakan di sirkuit penguat.
IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi sehingga efisien tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.
IGBT memiliki fitur gabungan dari transistor pertemuan MOSFET dan bipolar (BJT). Ini digerakkan oleh gerbang seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT. Oleh karena itu ia memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan arus tinggi, dan kemudahan pengendalian. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani kilowatt daya.
Perbedaan antara BJT dan IGBT
1. BJT adalah perangkat yang digerakkan arus, sedangkan IGBT digerakkan oleh tegangan gerbang
2. Terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor dan gerbang, sedangkan BJT terbuat dari emitor, kolektor dan basis.
3. IGBT lebih baik dalam penanganan daya daripada BJT
4. IGBT dapat dianggap sebagai kombinasi BJT dan FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT memiliki struktur perangkat yang kompleks dibandingkan dengan BJT
6. BJT memiliki sejarah yang panjang dibandingkan dengan IGBT
