BJT vs FET
Baik BJT (Bipolar Junction Transistor) dan FET (Field Effect Transistor) adalah dua jenis transistor. Transistor adalah perangkat semikonduktor elektronik yang memberikan sinyal keluaran listrik yang sangat berubah untuk perubahan kecil pada sinyal masukan kecil. Karena kualitas ini, perangkat dapat digunakan sebagai penguat atau sakelar. Transistor dirilis pada 1950-an dan dapat dianggap sebagai salah satu penemuan terpenting di abad ke-20 mengingat kontribusinya terhadap perkembangan TI. Berbagai jenis arsitektur untuk transistor telah diuji.
Transistor Persimpangan Bipolar (BJT)
BJT terdiri dari dua persimpangan PN (persimpangan dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe ap dan semikonduktor tipe n). Kedua persimpangan ini dibentuk dengan menghubungkan tiga buah semikonduktor dalam urutan PNP atau NPN. Ada dua jenis BJT yang dikenal sebagai PNP dan NPN tersedia.
Tiga elektroda dihubungkan ke tiga bagian semikonduktor ini dan timah tengah disebut 'alas'. Dua persimpangan lainnya adalah 'emitor' dan 'kolektor'.
Dalam BJT, arus emitor kolektor (Ic) besar dikendalikan oleh arus emitor basis kecil (IB) dan properti ini dimanfaatkan untuk merancang amplifier atau sakelar. Oleh karena itu, dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan arus. BJT banyak digunakan di sirkuit penguat.
Transistor Efek Medan (FET)
FET terbuat dari tiga terminal yang dikenal sebagai 'Gate', 'Source' dan 'Drain'. Di sini arus drain dikendalikan oleh tegangan gerbang. Oleh karena itu, FET adalah perangkat yang dikendalikan tegangan.
Bergantung pada jenis semikonduktor yang digunakan untuk sumber dan drain (dalam FET keduanya terbuat dari jenis semikonduktor yang sama), FET dapat berupa perangkat saluran N atau saluran P. Sumber untuk mengalirkan aliran arus dikendalikan dengan mengatur lebar saluran dengan menerapkan tegangan yang sesuai ke gerbang. Ada juga dua cara untuk mengontrol lebar saluran yang dikenal sebagai penipisan dan peningkatan. Oleh karena itu, FET tersedia dalam empat jenis berbeda seperti saluran N atau saluran P dengan mode deplesi atau peningkatan.
Ada banyak jenis FET seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET) yang dihasilkan oleh pengembangan nanoteknologi adalah anggota terbaru dari keluarga FET.
Perbedaan antara BJT dan FET
1. BJT pada dasarnya adalah perangkat yang digerakkan arus, meskipun FET dianggap sebagai perangkat yang dikendalikan tegangan.
2. Terminal BJT dikenal sebagai emitor, kolektor dan basis, sedangkan FET terbuat dari gate, source dan drain.
3. Di sebagian besar aplikasi baru, FET digunakan daripada BJT.
4. BJT menggunakan elektron dan lubang untuk konduksi, sedangkan FET hanya menggunakan salah satunya dan karenanya disebut sebagai transistor unipolar.
5. FET lebih hemat daya daripada BJT.
